半导体行业术语缩写词典总结-JKL_半导体词汇缩写表

myzbx 2025-09-01 09:57 62 浏览

作为半导体行业新人来说，最痛苦的莫过于各种缩写词术语了，有的缩写词一样但是会有不同的解释。

这里作者给大家整理了部分术语词典，后面会按照更新顺序一一分享出来。

废话不多说，直接开始，如有遗漏，欢迎大家在评论区或者私信补充，作者会在后面单开一篇来补充：

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J-开头缩写

缩写	英文全称	中文解释	技术说明
JBS	Junction Barrier Schottky	结势垒肖特基二极管	复合结构（PN结+肖特基），反向耐压>200V，开关速度<5ns（用于电源整流）
JEDEC	Joint Electron Device Engineering Council	电子器件工程联合委员会	制定DRAM/HBM等存储标准（如HBM3带宽>819GB/s）
JFET	Junction Field-Effect Transistor	结型场效应晶体管	电压控制沟道，抗辐照>1Mrad，用于航天级芯片
JMP	Statistical Discovery Software	统计分析软件	SPC良率分析工具（Cp/Cpk计算精度>99%）
JTE	Junction Termination Extension	结终端延伸	功率器件边缘钝化技术（如斜角/场板），击穿电压提升>30%

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K-开头缩写

缩写	英文全称	中文解释	技术说明
KGD	Known Good Die	已知合格芯片	晶圆测试后确认良品，封装前良率>99.9%
KOH	Potassium Hydroxide	氢氧化钾	硅各向异性湿法刻蚀剂（111）/（100）面刻蚀速率比>400:1，用于MEMS结构
KLA	KLA-Tencor Corporation	缺陷检测设备商	行业标准检测机台（如eSL10TM），EUV时代灵敏度<0.5nm
KPR	Kodak Photo Resist	柯达光刻胶	早期光刻胶（已淘汰），分辨率>1μm
KSR	Key Status Report	关键生产报表	统计各机台晶圆移动量（Move），良率追踪核心指标
KT	Knowledge Transfer	技术转移	工艺开发到量产交接流程（文档>500页，培训>100小时）
KTO	KrF Thin Oxide	氟化氪薄氧化层	248nm光刻配套氧化层（厚度<20nm），已被High-k替代

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L-开头缩写

缩写	英文全称	中文解释	技术说明
LAM	Laser Ablation Marking	激光打标	晶圆ID雕刻，线宽<10μm，深度<5μm
LAPP	Local Area Plasma Processing	局部区域等离子体处理	选择性刻蚀/沉积，位置精度±1μm
LASER	Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation	激光	DUV/EUV光源核心，波长精度±0.01pm
Latch-up	PNPN寄生结构触发	闩锁效应	CMOS工艺风险，抗闩锁电流>200mA
LBC	Low Bit Cost	低位成本	3D NAND核心目标（存储密度>1Tb/cm^2）
LCD	Liquid Crystal Display	液晶显示	TFT背板工艺，开口率>80%
LDD	Lightly Doped Drain	轻掺杂漏极	MOSFET源漏梯度掺杂，降低热载流子效应
LDMOS	Laterally Diffused MOS	横向扩散MOS	射频功率器件，耐压>100V，增益>20dB
LELE	Litho-Etch-Litho-Etch	双曝光刻蚀	双重图形化技术，套刻误差<1.5nm
LER	Line Edge Roughness	线边缘粗糙度	光刻关键指标，EUV要求<1.2nm
LF	Low Frequency	低频	设备控制信号（如Pump变频范围1-100Hz）
LGA	Land Grid Array	栅格阵列封装	触点间距<0.5mm，插拔力<30N
LIGA	Lithographie, Galvanoformung, Abformung	LIGA微加工技术	X光光刻+电铸+注塑，深宽比>100:1
LK	Low-k Dielectric	低介电常数材料	SiCOH（k=2.7），机械强度>2GPa
LLE	Low Light Exposure	低光曝光	光刻胶敏化技术，提升EUV量子效率
LOCOS	Local Oxidation of Silicon	硅局部氧化	隔离技术（已被STI替代），鸟嘴效应<0.1μm
LPC	Low Pressure Cleaning	低压清洗	真空环境下超纯水清洗，颗粒去除率>99%
LPCVD	Low Pressure CVD	低压化学气相沉积	多晶硅/氮化硅沉积，温度600°C，均匀性>98%
LPD	Light Point Defect	光点缺陷	晶圆表面颗粒/划痕，检测灵敏度>30nm
LPM	Lots Per Month	每月批次量	产能指标（300mm厂>10,000片/月）
LPT	Low Pressure Test	低压测试	封装气密性检测（泄漏率<5×10 mbar·L/s）
LPV	Low Pressure Vessel	低压反应腔	真空度<10 Torr，用于薄膜沉积
LRP	Long Range Planning	长期规划	产能扩张/技术路线（如3nm节点量产时间）
LSF	Laser Spike Annealing	激光尖峰退火	毫秒级退火（>1300℃），激活掺杂原子
LSM	Laser Scanning Microscopy	激光扫描显微镜	失效分析定位热点（分辨率±0.5μm）
LSP	Light Scattering Particle	光散射颗粒	洁净室监控指标（>28nm颗粒<1个/L）
LST	Laser Scattering Tomography	激光散射层析	检测晶圆内部缺陷（COP<10个/片）
LSV	Linear Sweep Voltammetry	线性扫描伏安法	电镀液成分分析（金属离子浓度±0.1ppm）
LSW	Lightly Doped Source/Drain	轻掺杂源漏	同LDD，抑制短沟道效应
LTO	Low Temperature Oxide	低温氧化层	PECVD沉积SiO（400°C），台阶覆盖率>50%
LUMO	Lowest Unoccupied Molecular Orbital	最低未占分子轨道	有机半导体能带参数
LV	Low Voltage	低电压	核心器件工作电压<1V（3nm节点）
LVM	Local Vibration Mode	局域振动模式	红外光谱分析晶格缺陷（如氧沉淀）
LVS	Layout vs. Schematic	版图与原理图一致性检查	芯片设计验证必选项
LWI	Local Wafer Inspection	局部晶圆检测	抽样检测关键区域（如芯片边缘）
LWR	Line Width Roughness	线宽粗糙度	同LER，光刻图形质量核心指标
LPC	Low Pressure Chamber	低压反应腔	同LPV，真空沉积/刻蚀核心设备
LMC	Laser-Modified Chemistry	激光改性化学	EUV光刻胶分子级调控，灵敏度提升3倍
LDD	Low Dimensional Device	低维器件	纳米线/量子点器件（如GAA晶体管）
LPD	Low Power Device	低功耗器件	待机电流<1nA（IoT芯片要求）
LPT	Low Power Test	低功耗测试	芯片待机电流检测（精度±1pA）
LSC	Large Scale Cluster	大型集群设备	多反应腔集成系统（>6腔），产能提升40%
LSE	Least Squares Estimation	最小二乘估计	SPC数据分析核心算法
LSP	Localized Surface Plasmon	局域表面等离子体	光学增强结构（用于EUV光刻胶）
LTS	Long Term Stability	长期稳定性	设备连续运行>30天无故障
LVM	Linear Voltage Modulator	线性电压调制器	电源管理模块，纹波<1mV
LVS	Low Voltage Stress	低电压应力	可靠性测试（模拟电池供电场景）
LWV	Light Wave Varnish	光波清漆	光刻胶表面涂层，减少驻波效应

原创声明：本文综合公开资料梳理，转载需授权。

JS 函数定义

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